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NOTE DE L'ÉDITEUR
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1425 intitulé « MMIC – Évolution et technologie » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD.
RÉSUMÉ
Depuis l'apparition des premiers circuits MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits ou circuit intégré monolithique hyperfréquence), en 1975, cette technologie n'a cessé d'évoluer et a maintenant de nombreuses applications. Cet article présente les performances, technologies et outils de conception de ces circuits. Puis il détaille plus particulièrement les procédés et étapes technologiques tant pour les filières III-V que Silicium.
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Lire l’articleAuteur(s)
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Christian RUMELHARD : Professeur au Conservatoire national des arts et métiers - Laboratoire de physique des composants électroniques
INTRODUCTION
La première réalisation de circuits intégrés monolithiques analogiques micro-ondes (en anglais « Monolithic Microwave Integrated Circuits » MMIC) en 1975 a ouvert un nouveau domaine qui n’a cessé d’évoluer. Alors que son développement a d’abord été entraîné par des applications militaires, la plupart des applications sont maintenant civiles : soit des applications pour le grand public telles que les radiocommunications terrestres, soit des applications à hautes performances comme dans les répéteurs micro-ondes à bord de satellites. Cette évolution est rappelée dans la première partie de l’article. Une seconde partie est consacrée à la description rapide de la technologie. Cette description est destinée à faire comprendre les techniques de base qui sont employées et elle devrait permettre à des concepteurs de circuits de mieux saisir l’origine des variations statistiques des performances électriques inévitables et qui devront absolument être prises en compte dans la conception des circuits monolithiques.
Cette étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de plusieurs articles :
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- Version courante de avr. 2016 par Gilles DAMBRINE, Didier BELOT, Pascal CHEVALIER
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BIBLIOGRAPHIE
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(1) - PENGELLY (R.S.) - Broad band lumped element X-band GaAs FET amplifiers (Amplificateurs à FET GaAs à large bande et constitué d’éléments localisés) - , Proceedings of 5th European Microwave Conference, Sept. 1975, p. 301-305.
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(2) - SZE (S.M.) - Semiconductor Devices Physics and Technology (Physique et Technologie des Composants à Semi-conducteurs) - , John Wiley and Sons, 1985.
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(3) - WILLIAMS (R.) - Modern GaAs Processing Methods (Méthodes modernes pour le process de GaAs) - , Artech House, 1990.
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