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ALD assistée par plasma (PEALD)Article de référence RECHERCHE ET INNOVATION | Réf : RE262 v1
Auteur(s) : David MUÑOZ-ROJAS
Date de publication : 10 nov. 2016
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Bien que déjà brevetée en 1977 en même temps que l’ALD temporelle, l’ALD spatiale n’a été mise au point qu’au début du XXIe siècle. La possibilité d’utiliser l’ALD avec des vitesses de dépôt plus élevées, à la pression atmosphérique (et même à l’air libre) a attiré l’attention sur la SALD avec une forte dynamique de développement. Depuis les premières publications en 2004 et 2008, le nombre de publications ne cesse d’augmenter. La SALD a également fait la transition du laboratoire à l’échelle industrielle et plusieurs systèmes commerciaux sont déjà disponibles à la fois pour le laboratoire et à l’échelle de la production.
La SALD est une technologie de dépôt très flexible qui permet une grande liberté de conception, comme le montre le nombre croissant de réacteurs en cours d’élaboration. Parce qu’au sein de la SALD les précurseurs sont continuellement injectés, une séparation efficace par le flux de gaz/zone inerte doit être assurée. L’étude analytique de la dynamique des fluides et la modélisation sont donc couramment utilisées lors de la conception de réacteurs et pour évaluer les conditions de dépôt optimales. De nombreux matériaux ont déjà été déposés en utilisant la SALD. Les travaux initiaux ont été axés sur Al2O3 et ZnO. Par la suite, d’autres oxydes binaires tels que Cu2O, TiO2 ou Nb2O5 ont été développés, en même temps que le dépôt d’oxydes complexes (y compris le dopage) et de métaux. Les principales applications de la SALD à ce jour ont été le dépôt de composants pour TFT, des cellules solaires et des LED et le dépôt de couches de barrière et d’encapsulation. La SALD a été utilisée avec succès sur des substrats flexibles tels que du papier ou du plastique, et même sur des échantillons avec un rapport d’aspect allant jusqu’à 250. La combinaison des atouts uniques de l’ALD avec des vitesses de dépôt beaucoup plus élevées et la possibilité de déposer à l’air, la flexibilité de la conception et le facile développement à grande échelle devraient faire de la SALD l’une des principales techniques de dépôt de couches minces dans les années à venir.
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INNOVATIONS TECHNOLOGIQUES
(1) - SUNTOLA (T.S.), ANTSON (J.) - Method for producing compound thin films. - 4, 058, 430 (1977).
(2) - SUNTOLA (T.S.), PAKKALA (A.J.), LINDFORS (S.G.) - Apparatus for performing growth of compound thin films. - 4, 389, 973 (1983).
(3) - NONOBE (S.), TAKAHASHI (N.), NAKAMURA (T.) - Solid State Sci. - 6, 1217-1219 (2004).
(4) - LEVY (D.H.) - * - PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION. US 7, 413, 982 B2 (2008).
(5) - DICKEY (E.), BARROW (W.A.) - J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. - 30, 021502 (2012).
(6) - MAYDANNIK (P.S.), KÄÄRIÄINEN (T.O.), CAMERON (D.C.) - Chem. Eng. J. - 171, 345-349 (2011).
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Laboratoires de Recherche
TNO – Innovation for life
Delft TU – Université technologique de Delft
Astral – Lappeenranta University of Technology – Finlande
UCAM – University of Cambridge – UK.
LMGP – Laboratoire des matériaux et du génie physique – Grenoble
http://www.lmgp.grenoble-inp.fr
Searl – Hangyang University – Corée du Sud.
Jeju National University – Corée du Sud
NCHU – National Chung Hsing University – Taïwan
ConstructeursLotus AT – Lotus Applied Technology
Solaytec
Levitech
Beneq
Applied Materials
http://www.appliedmaterials.com
Jusung Engineering
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