Dynamique des fluides et SALD : des défis d’ingénierie
Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)

Du point de vue chimique, la SALD est équivalente à l’ALD et, afin que le dépôt ne se produise qu’au travers de la croissance de la couche limitée à la surface, la surface à recouvrir doit être saturée et tout précurseur physisorbé en excès ou restant au-dessus de la surface doit être enlevé dans la zone de purge. Puisque, par le principe même de la méthode SALD, les précurseurs sont fournis en continu, leur séparation efficace est une question clé et les réacteurs doivent être conçus de telle sorte que la barrière d’écoulement inerte soit efficace. Comme nous l’avons vu au § 2, ceci a été réalisé en utilisant diverses approches d’ingénierie. Afin d’évaluer l’efficacité d’un réacteur particulier, et l’effet des différentes conditions du procédé, la modélisation est fréquemment employée, comme cela est illustré ci-dessous.

Le premier avantage principal de la SALD par rapport à l’ALD est que le dépôt peut se faire beaucoup plus rapidement. Le taux de dépôt maximal réalisable dépend bien sûr du type de réacteur utilisé, mais en fin de compte, cela dépend toujours des propriétés des différents précurseurs et de la vitesse de réaction. Le temps où le substrat est en contact avec les précurseurs doit être suffisamment long pour obtenir une réaction complète (à savoir, la saturation en surface). Si l’on prend pour exemple la réaction entre le TMA et l’eau, l’échelle de temps pour la demi-réaction du TMA peut être estimée par

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