Le silicène, dans l’ombre du graphène

Bien qu’il partage une grande partie de ses propriétés, le silicène reste pourtant assez méconnu, si on le compare à la superstar des matériaux, le graphène. Une équipe de chercheurs américains, affiliée à l’université du Texas et à l’ACSE (Austin’s Cockrell School of Engineering), remet le silicène sur le devant de la scène en parvenant à créer le premier transistor à partir du plus fin des matériaux dérivés du silicium.

Le matériau bidimensionnel – seulement un atome d’épaisseur – possède notamment des propriétés électriques extrêmement intéressantes, comme la présence d’une bande interdite variant sans modification chimique du matériau, mais les difficultés de production ne permettaient pas jusqu’ici d’envisager une quelconque utilisation industrielle. Ces problèmes seraient en passe d’être surmontés, à en croire le professeur Deji Akinwande, éminence grise de l’équipe texane.

Afin de se défaire de l’un des problèmes majeurs du silicène – sa grande instabilité une fois en contact avec l’air – le professeur Akinwande s’est adjoint les services d’un chercheur italien, Alessandro Molle, pour développer une nouvelle méthode de fabrication limitant au maximum l’exposition du matériau à l’air libre. Pour ce faire, les chercheurs laissent des atomes de silicium en suspension se condenser sur un bloc d’argent dans une chambre à vide. La feuille de silicène ainsi formée est ensuite recouverte d’une fine couche nanométrique d’alumine, permettant de séparer et de protéger les différentes épaisseurs.

Les transistors en silicène pourraient permettre de créer des circuits intégrés sensiblement plus rapides, plus petits et plus efficaces.

Par Rahman Moonzur