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Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)Article de référence | Réf : RE253 v1
Auteur(s) : Nathanaelle SCHNEIDER, Frédérique DONSANTI
Date de publication : 10 oct. 2016
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Le procédé de dépôt ALD, de par sa capacité à former des couches de matériaux d’épaisseur contrôlée, denses, couvrantes, avec un contrôle précis de la stœchiométrie, quel que soit le type de substrat même fragile (lisse, rugueux, nanostructurés, géométrie complexe, structures 3D, polymère…) à des températures relativement basses (généralement inférieures à 300 °C), est utilisé dans un très grand nombre de domaines d’applications . Le contrôle précis de l’épaisseur du film permet également le développement de nouvelles stratégies pour modifier les propriétés chimiques ou physiques de matériaux nanométriques et d’ouvrir de nouvelles voies de synthèse pour de nouvelles nanostructures.
La figure 6 donne un aperçu des applications principales de l’ALD.
On constate aisément sur cette figure que l’ALD a su conquérir une variété de domaines allant du médical au stockage de l’énergie. Nous allons nous intéresser plus en détail à certaines de ces applications, afin de mettre en lumière l’intérêt de cette technique de dépôt et les raisons qui en font un procédé de choix pour un bon nombre d’industries.
5.1 ALD pour la microélectronique
Grâce à ses qualités de contrôle de l’épaisseur et de la stœchiométrie, l’ALD est parvenue à remplacer les différentes techniques de dépôt classiques dans le domaine de la microélectronique. Cette technique est souvent utilisé pour la fabrication de diélectriques high k pour les transistors, ou pour le dépôt de couches barrières améliorant les interconnexions et également pour la fabrication des dispositifs de mémoire vive dynamique (DRAM). Par exemple, Samsung ou Intel utilisent l’ALD...
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NANOSCIENCES ET NANOTECHNOLOGIES
(1) - PUURUNEN (R.L.) - « A short history of Atomic Layer Deposition : Tuomo Suntola’s Atomic Layer Epitaxy, » - Chem. Vap. Deposition, pp. 20, 332-344 (2014).
(2) - BELMONTE (T.) - « Dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse, » - Techniques de l’ingénieur, p. M 1660 (2010).
(3) - PUURUNEN (R.L.) - « Surface chemistry of atomic layer depostion : A case of study for the trimethylaluminium/ water process, » - J. Appl. Phys., vol. 97, p. 121301 (2005).
(4) - MIIKKULAINEN (V.), LESKELÄ (M.), RITALA (M.), PUURUNEN (R.L.) - « Cristallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition : Overview and general trends, » - J. Appl. Phys., vol. 113, p. 21301 (2013).
(5) - GEORGE (S.M.) - « Atomic Layer Deposition : An overview, » - Chem. Rev., vol. 110, pp. 111-131 (2010).
...
ALD Pulse
http://aldpulse.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
BALD Engineering
http://www.baldengineering.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
Virtual Project on the History of ALD
http://www.vph-ald.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
HAUT DE PAGE
AVS-ALD conference, congrès (conférences + salon) ayant lieu chaque année dans un continent différent.
Baltic-ALD conference, congrès ayant lieu une année sur deux dans une ville européenne
http://eurocvd-balticald2017.se/
HAUT DE PAGE
Method for producing compound thin films, US. Patent 4 058 430 (1977).
HAUT DE PAGEOrganismes –...
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