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Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)| Réf : RE253 v1
Auteur(s) : Nathanaelle SCHNEIDER, Frédérique DONSANTI
Date de publication : 10 oct. 2016
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L’ALD a connu son essor au début des années 1970 en Finlande pour répondre à un besoin de l’industrie de panneaux électroluminescents (TFELs). Pour le développement de ces produits, il était nécessaire de déposer des couches minces diélectriques et luminescentes de haute qualité sur de grandes surfaces. Les procédés de dépôts classiques utilisés à l’époque tels que l’évaporation ou la pulvérisation cathodique ne répondaient pas à ces attentes.
T. Suntola et son équipe eurent l’idée de déposer un matériau correspondant aux propriétés recherchées, le ZnS, brique par brique en partant de précurseurs élémentaires (zinc et soufre). De cette manière, il était possible d’avoir un contrôle précis de l’épaisseur même sur une grande surface. La technique de dépôt chimique par flux alternés, dit ALE (Atomic Layer Epitaxy) était née.
À partir des années 2000, l’ALE devient ALD (Atomic Layer Deposition) en raison du fait que la plupart des dépôts se faisaient par réaction de surface autolimitante et non par épitaxie. Pour des raisons d’optimisation de procédés et d’adaptation au niveau industriel, l’utilisation de précurseurs de type organométalliques, ainsi que le développement de chambres de procédé plus sophistiquées, virent le jour. Durant les années 1980, cette technique a ensuite été employée avec succès par de nombreux groupes académiques et industriels aux États-Unis et au Japon pour les semi-conducteurs III-V. Au milieu des années 90, l’ALD a ensuite connu un nouvel essor grâce à l’industrie de la microélectronique du fait de la miniaturisation des circuits intégrés (IC). Les faibles vitesses de dépôt de l’ALD, souvent pointées du doigt par le milieu industriel, ne sont plus alors un frein à son utilisation. Notamment, en 2007, Intel intégra une étape ALD à la fabrication en masse de son microprocesseur Penryn. En parallèle au développement de l’ALD dite classique, toujours pour les besoins de l’industrie de la microélectronique, la technique d’ALD assistée par plasma voit le jour au début des années 1990, permettant d’élargir le panel de matériaux disponibles. Au cours des années 2000, le développement d’un nouveau réacteur dit spatial ALD (SALD) apparaît. Ce...
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NANOSCIENCES ET NANOTECHNOLOGIES
(1) - PUURUNEN (R.L.) - « A short history of Atomic Layer Deposition : Tuomo Suntola’s Atomic Layer Epitaxy, » - Chem. Vap. Deposition, pp. 20, 332-344 (2014).
(2) - BELMONTE (T.) - « Dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse, » - Techniques de l’ingénieur, p. M 1660 (2010).
(3) - PUURUNEN (R.L.) - « Surface chemistry of atomic layer depostion : A case of study for the trimethylaluminium/ water process, » - J. Appl. Phys., vol. 97, p. 121301 (2005).
(4) - MIIKKULAINEN (V.), LESKELÄ (M.), RITALA (M.), PUURUNEN (R.L.) - « Cristallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition : Overview and general trends, » - J. Appl. Phys., vol. 113, p. 21301 (2013).
(5) - GEORGE (S.M.) - « Atomic Layer Deposition : An overview, » - Chem. Rev., vol. 110, pp. 111-131 (2010).
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ALD Pulse
http://aldpulse.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
BALD Engineering
http://www.baldengineering.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
Virtual Project on the History of ALD
http://www.vph-ald.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
HAUT DE PAGE
AVS-ALD conference, congrès (conférences + salon) ayant lieu chaque année dans un continent différent.
Baltic-ALD conference, congrès ayant lieu une année sur deux dans une ville européenne
http://eurocvd-balticald2017.se/
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Method for producing compound thin films, US. Patent 4 058 430 (1977).
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