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Capteurs à semi-conducteursArticle de référence | Réf : E3093 v1
Auteur(s) : Alfred PERMUY, Éric DONZIER, Fadhel REZGUI
Date de publication : 10 mai 2004
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Dispositifs à transfert de charges (CCD)Cet article fait partie de l’offre
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L’intérêt de la microélectronique pour la technologie des capteurs se situe surtout dans l’exploitation des procédés et des équipements associés. Évidemment, l’utilisation de ces techniques passe par une compatibilité aussi bien au niveau des formes des pièces à traiter (substrat plan d’épaisseur calibrée en forme de disque...) qu’au niveau des matériaux. Chaque fois que cela est possible, on utilise des matériaux déjà connus et maîtrisés dans l’industrie du semi-conducteur. Il faut signaler, en ce qui concerne les films minces, que les propriétés mécaniques et électriques dépendent souvent beaucoup des procédés de dépôt et des traitements thermiques postérieurs.
Le silicium est le matériau de base de l’industrie microélectronique. Si ses propriétés électroniques sont connues et exploitées de longue date pour la réalisation de composants semi-conducteurs, ses caractéristiques mécaniques suscitent un intérêt depuis les années 1970 en relation avec la fabrication de structures rigides ou flexibles qui interviennent dans le fonctionnement de nombreux types de capteurs.
HAUT DE PAGE
La structure cristalline du silicium est du type diamant, c’est-à-dire composée de deux réseaux cubiques à faces centrées décalés (figure 1). Un plan cristallin noté
correspond à un plan passant par les points a / h , a / k ,
où a est la dimension de l’arête de la maille élémentaire. Les plans (100), (110) et (111) jouent des rôles essentiels dans les gravures anisotropes 2.4...
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