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Apport de la caractérisation in situ dans les procédés ALD
RE263 v1 RECHERCHE ET INNOVATION

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Apport de la caractérisation in situ dans les procédés ALD

Auteur(s) : Jean-Luc DESCHANVRES, Carmen JIMENEZ

Date de publication : 10 oct. 2016 | Read in English

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1 - Contexte

2 - Détermination du GPC

3 - Étude des mécanismes réactionnels

4 - Analyse des propriétés physico-chimiques de la couche élaborée

5 - Sigles

Sommaire

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RÉSUMÉ

Pour affiner la compréhension et le contrôle des mécanismes de croissance qui gouvernent le processus de dépôt ALD, les techniques de caractérisation in situ constituent des voies d’investigation de premier ordre. Dans cet article, les différentes techniques utilisées seront présentées en fonction de l’information apportée pour la connaissance du procédé de dépôt ALD : en premier lieu, pour la détermination de la fenêtre de dépôt ALD, puis pour la détermination des mécanismes réactionnels, et enfin pour la corrélation avec les propriétés des films élaborés.

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Auteur(s)

  • Jean-Luc DESCHANVRES : Chargé de Recherche CNRS - Affiliation Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP) - Université Grenoble Alpes, LMGP, F-38000 Grenoble, France ; CNRS, LMGP, F-38000 Grenoble, FRANCE.

  • Carmen JIMENEZ : Ingénieur de Recherche CNRS - Affiliation Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP) - Université Grenoble Alpes, LMGP, F-38000 Grenoble, France ; CNRS, LMGP, F-38000 Grenoble, FRANCE.

INTRODUCTION

Points clés

Domaine : Innovation,

Degré de diffusion de la technologie : Émergence | Croissance | Maturité Technologies impliquées : Atomic Layer Deposition (ALD)

Domaines d’application : Microélectronique, énergie, OLED, santé,

Principaux acteurs français :

Pôles de compétitivité : Minalogic, Tenerrdis

Centres de compétence : OMNT ( https://www.omnt.fr/fr/)

Industriels : Équipementier (Encapsulix, Annealsys, Picosun, Beneq)

Autres acteurs dans le monde :

Contact : [email protected] ; [email protected]

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-re263

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5. Sigles

ALD : Atomic Layer Deposition – Déposition Atomique par flux alterné

ANR : Agence Nationale de la Recherche

DMZ : Dimethylzinc, Zn(CH3)2

DEZ : Diethylzinc, Zn(C2H5)2

DFT : Density Functional Theory – théorie de la densité fonctionnelle

DMA : Diméthylamine

EMA : effective-medium-approximation – approximation du milieu effectif moyen

EXAFS : Extented X ray Absorption Fine Structure – analyses des oscillations fines d’absorption X sur un domaine étendu

FTIR : Fourier Transform Infrared spectroscopy ou spectroscopie d’infrarouge à transformée de Fourier.

GISAXS : Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering – diffusion des rayons X aux petits angles en incidence rasante.

GPC : Growth Per Cycle – croissance par cycle ou taux de croissance par cycle

ICP : Inductive Coupled Plasma – plasma par couplage inductif

LMGP : Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique

MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition – Dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques

OES : Optical Emission Spectroscopy – spectroscopie d’émission optique

PEALD : ALD assistée Plasma

QCM : Quartz Crystal Microbalance ou microbalance à quartz

SIMAP : laboratoire Sciences et Ingénierie des Matériaux et des Procédés

TMA : Trimethylaluminium, Al(CH3)3

XANES : X ray Absorption Near Edge Spectroscopy – techniques de spectroscopie d’absorption de rayons X autour du seuil

XAS : X ray Absorption Spectroscopy – techniques de spectroscopie d’absorption de rayons X

XRF : X Ray Fluorescence – fluorescence X

XPS : X ray photoelectron spectroscopy – spectroscopie des photoélectrons par excitation rayons X

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - KNAPAS (K.), RITALA (M.) -   In Situ Studies on Reaction Mechanisms in Atomic Layer Deposition.  -  Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 38 : 3 167-202 (2013).

  • (2) -    -  Quartz Crystal Microbalance Theory and Calibration, Stanford Research Systems.

  • (3) - ELAM (J. W.), GRONER (M. D.), GEORGE (S. M.) -   Viscous flow reactor with quartz crystal microbalance for thin film growth by atomic layer deposition,  -  Rev. Sci. Instrum., Vol. 73, No. 8, 2981-2987 (2002).

  • (4) - ELAM (J. W.), PELLIN (M. J.) -   GaPO4 Sensors for Gravimetric Monitoring during Atomic Layer Deposition at High Temperatures,  -  Anal. Chem., 77 3531-3535 (2005).

  • (5) - ELAM (J.W.), GEORGE (S.M.) -   Growth of ZnO/Al2O3 alloy films using atomic layer deposition techniques,  -  Chem. Mater., 15 (2003) 1020-1028. DOI : 10.1021/cm020607.

  • ...

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