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Imagerie Raman de matériaux et dispositifs nano/microhétérogènesArticle de référence | Réf : RE253 v1
Auteur(s) : Nathanaelle SCHNEIDER, Frédérique DONSANTI
Date de publication : 10 oct. 2016
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Chimie des précurseurs pour le procédé ALDCet article fait partie de l’offre
Innovations technologiques (165 articles en ce moment)
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Le procédé ALD est ici décrit dans son ensemble, c’est-à-dire ses caractéristiques clés (cycle ALD, dépôt chimique, réactions de surface, effet de la température, du nombre de cycles, du programme…), ainsi que sa mise au point .
L’ALD utilise des réactifs (généralement appelés précurseurs) contenant chacun l’un des éléments constituant le film désiré. La réaction globale de croissance d’un composé binaire MC est :
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INNOVATIONS TECHNOLOGIQUES
(1) - PUURUNEN (R.L.) - « A short history of Atomic Layer Deposition : Tuomo Suntola’s Atomic Layer Epitaxy, » - Chem. Vap. Deposition, pp. 20, 332-344 (2014).
(2) - BELMONTE (T.) - « Dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse, » - Techniques de l’ingénieur, p. M 1660 (2010).
(3) - PUURUNEN (R.L.) - « Surface chemistry of atomic layer depostion : A case of study for the trimethylaluminium/ water process, » - J. Appl. Phys., vol. 97, p. 121301 (2005).
(4) - MIIKKULAINEN (V.), LESKELÄ (M.), RITALA (M.), PUURUNEN (R.L.) - « Cristallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition : Overview and general trends, » - J. Appl. Phys., vol. 113, p. 21301 (2013).
(5) - GEORGE (S.M.) - « Atomic Layer Deposition : An overview, » - Chem. Rev., vol. 110, pp. 111-131 (2010).
...
ALD Pulse
http://aldpulse.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
BALD Engineering
http://www.baldengineering.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
Virtual Project on the History of ALD
http://www.vph-ald.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
HAUT DE PAGE
AVS-ALD conference, congrès (conférences + salon) ayant lieu chaque année dans un continent différent.
Baltic-ALD conference, congrès ayant lieu une année sur deux dans une ville européenne
http://eurocvd-balticald2017.se/
HAUT DE PAGE
Method for producing compound thin films, US. Patent 4 058 430 (1977).
HAUT DE PAGEOrganismes –...
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