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Imagerie Raman de matériaux et dispositifs nano/microhétérogènesArticle de référence | Réf : RE253 v1
Auteur(s) : Nathanaelle SCHNEIDER, Frédérique DONSANTI
Date de publication : 10 oct. 2016
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Chimie des précurseurs pour le procédé ALDCet article fait partie de l’offre
Innovations technologiques (165 articles en ce moment)
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Une grande palette de matériau est désormais accessible par ALD. Cette section dresse une liste non exhaustive : de nouveaux procédés étant régulièrement développés, cette liste est par essence obsolète (tableau 1).
Il existe de nombreux oxydes déposés par ALD. Dans la majorité des cas, la source d’oxygène est l’eau (H2O) et implique des réactions d’hydrolyse et de protonation de ligand. L’ozone (O3) ou O2-plasma sont également souvent utilisés et induisent des mécanismes réactionnels plus complexes. Enfin, d’autres exemples utilisent l’eau oxygénée (H2O2), un alcool, N2O ou même un précurseur métallique possédant également une source d’oxygène, tels que les composés alcoxydes ou carboxylates. Ces précurseurs ont l’avantage d’éviter des réactions d’oxydation du substrat . Les propriétés des oxydes déposés dépendent fortement de leur cristallinité, d’où l’importance de la contrôler (paragraphe 3.7).
L’alumine (Al2O3) est le matériau le plus étudié et le plus utilisé en ALD. Il est en général déposé à partir d’AlMe3 (TMA) et de H2O, et sa croissance étant quasi-idéale, il est considéré comme le système modèle de l’ALD. Il est généralement...
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INNOVATIONS TECHNOLOGIQUES
(1) - PUURUNEN (R.L.) - « A short history of Atomic Layer Deposition : Tuomo Suntola’s Atomic Layer Epitaxy, » - Chem. Vap. Deposition, pp. 20, 332-344 (2014).
(2) - BELMONTE (T.) - « Dépôts chimiques à partir d’une phase gazeuse, » - Techniques de l’ingénieur, p. M 1660 (2010).
(3) - PUURUNEN (R.L.) - « Surface chemistry of atomic layer depostion : A case of study for the trimethylaluminium/ water process, » - J. Appl. Phys., vol. 97, p. 121301 (2005).
(4) - MIIKKULAINEN (V.), LESKELÄ (M.), RITALA (M.), PUURUNEN (R.L.) - « Cristallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition : Overview and general trends, » - J. Appl. Phys., vol. 113, p. 21301 (2013).
(5) - GEORGE (S.M.) - « Atomic Layer Deposition : An overview, » - Chem. Rev., vol. 110, pp. 111-131 (2010).
...
ALD Pulse
http://aldpulse.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
BALD Engineering
http://www.baldengineering.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
Virtual Project on the History of ALD
http://www.vph-ald.com/ (page consultée le 2 juin 2016)
HAUT DE PAGE
AVS-ALD conference, congrès (conférences + salon) ayant lieu chaque année dans un continent différent.
Baltic-ALD conference, congrès ayant lieu une année sur deux dans une ville européenne
http://eurocvd-balticald2017.se/
HAUT DE PAGE
Method for producing compound thin films, US. Patent 4 058 430 (1977).
HAUT DE PAGEOrganismes –...
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