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Techniques de mesure sous haute pressionArticle de référence | Réf : R740 v1
Auteur(s) : René PAYAT
Date de publication : 10 avr. 1994
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Les équipements sont constitués d’éléments discrets, passifs ou actifs (supports, câbles, isolants, résistances, condensateurs, circuits à semiconducteurs, etc.).
Les composants actifs à base de semiconducteurs sont les éléments les plus vulnérables aux rayonnements.
2.1 Les rayonnements et les composants électroniques actifs
Nous orienterons ici nos propos sur les aspects « perturbations électriques » des défauts induits par les rayonnements (signaux électriques, dérives). Les développements théoriques pourront être trouvés dans les articles spécialisés, dont des références récentes seront trouvées en fin de ce document.
HAUT DE PAGE2.1.1 Effets induits par les photons
Dans le cas du silicium (Z = 14), l’effet Compton est prépondérant dans une grande gamme d’énergie (60 keV à 20 MeV).
Quels que soient les phénomènes d’interaction dans les matériaux, cela revient à créer ou à exciter des électrons primaires, qui à leur tour réagissent avec le milieu en l’ionisant et en créant des électrons secondaires [1] [2] [3].
Finalement, les interactions dues aux photons se transforment en interactions électrons-matière dans le volume du matériau.
...
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(1) - CAREL (C.) - Phénomènes généraux liés aux contextes radiatifs. - Nuclétudes S.A. Conférences RADECS (1989).
(2) - GAILLARD (R.) - Effets transitoires des rayonnements nucléaires. - Nuclétudes S.A. Conférence RADECS (1989).
(3) - LERAY (J.-L.) - Effets physiques de base. - CEA-DAM : Conférence RADECS (1989).
(4) - ROUMEGUÈRE (M.) - Interactions neutrons-silicium. - CEA-DAM : Conférence RADECS (1989).
(5) - CHENION (J.), GAUSSENS (G.) - Influence du vieillissement des polymères à très bas débit de dose. - Rapport d’essai No 344f, Institut de protection et de sureté nucléaire. Département d’analyse de sureté.
(6) - PIGNERET (J.) - Tenue des liaisons optiques en ambiance nucléaire. - ...
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