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Techniques de mesures sous haute pression| Réf : R740 v1
Auteur(s) : René PAYAT
Date de publication : 10 avr. 1994
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Le tableau 1 résume les anomalies les plus fréquentes que l’on peut associer à des types de composants standards modernes.
On trouvera par l’examen des deux exemples suivants les effets réels des irradiations sur des fonctions, et non plus uniquement sur des composants seuls.
3.1 Considérations technologiques
Prenons un premier exemple, volontairement simplifié, pour illustrer et chiffrer l’apparition de défauts dans une chaîne de mesure (figure 8).
Il s’agit d’une fonction de conversion analogique courant-tension (I- V ) de précision, dont la pente est programmable par une commande logique, agissant sur un multiplexeur de voies analogiques (MC 1405 1 B de National Semiconductor) en technologie CMOS, disposé en contre-réaction d’un amplificateur opérationnel (HA 4741 en technologie bipolaire de Harris), associés à des résistances à couches métalliques de précision et haute stabilité.
La tension de sortie est appliquée à un convertisseur analogique-numérique (CAN) de 12 bits de résolution (AD 574 AKD de Analog Devices ; technologie bipolaire, ou CMOS en seconde source).
La résistance R c i (fixant la pente de conversion) est attribuée par la voie i activée du multiplexeur. Le capteur est un générateur de courant. Le facteur de conversion est prévu ici pour Vs = 10 V avec Icapt = 1 mA sur la voie i, soit :
Pour le multiplexeur 8 voies (MC 1405 1 B), la valeur initiale de résistance de conduction de canal Ron est de 64 Ω 2 Ω (valeur moyenne mesurée sur les 8 voies avant irradiation et sur un lot important de composants identiques).
La précision des réglages est réalisée par des résistances d’ajustement.
Les quatre éléments constitutifs, du capteur au convertisseur 12 bits, sont dans le flux radiatif, mais le traitement des données après conversion est effectué hors rayonnement pour simplifier le problème.
Les constituants de la chaîne de mesure...
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MÉTIER : RESPONSABLE QUALITÉ
(1) - CAREL (C.) - Phénomènes généraux liés aux contextes radiatifs. - Nuclétudes S.A. Conférences RADECS (1989).
(2) - GAILLARD (R.) - Effets transitoires des rayonnements nucléaires. - Nuclétudes S.A. Conférence RADECS (1989).
(3) - LERAY (J.-L.) - Effets physiques de base. - CEA-DAM : Conférence RADECS (1989).
(4) - ROUMEGUÈRE (M.) - Interactions neutrons-silicium. - CEA-DAM : Conférence RADECS (1989).
(5) - CHENION (J.), GAUSSENS (G.) - Influence du vieillissement des polymères à très bas débit de dose. - Rapport d’essai No 344f, Institut de protection et de sureté nucléaire. Département d’analyse de sureté.
(6) - PIGNERET (J.) - Tenue des liaisons optiques en ambiance nucléaire. - ...
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