Glossaire
Faisceaux d’ions - Applications

Loi de Moore

Loi empirique qui vise à prévoir l'évolution de la puissance de calcul des ordinateurs et de la complexité du matériel informatique. Elle prévoit le doublement de la densité (nombre de transistors par unité de surface des puces électroniques) tous les deux ans grâce au passage à une gravure plus fine.

Cofondateur de la société Intel, Gordon Moore postule, en 1965, que le nombre de transistors par circuit de même taille allait doubler, à prix constant, tous les ans. Quelques années plus tard Moore rectifia sa prédiction à un doublement du nombre de transistors présents sur une puce de microprocesseur tous les deux ans. Ce second postulat se révéla particulièrement exact, et popularisa le terme de « loi de Moore ».

Faisceau d’ions focalisé ; Focused Ion Beam (FIB)

Instrument scientifique qui utilise un faisceau d'ions focalisé. Il s’agit également d’une technique utilisée en particulier dans l'industrie des semi-conducteurs, la science des matériaux et de plus en plus dans le domaine biologique pour l'analyse, le dépôt et l'ablation de matériaux à des échelles nanométriques.

Nanofil

Un nanofil est une nanostructure, dont le diamètre est exprimé en nanomètre.

PKA (Primary Knocked-on Atom)

Premier atome frappé (PAF) lors de la collision d’une particule incidente énergétique avec un solide. Après avoir été déplacé de son site initial, le PKA peut induire le déplacement d’autres atomes du réseau s'il possède une énergie suffisante, et créer une cascade de déplacement.

dpa (displacements per atom)

Nombre moyen de déplacements subis par les atomes d’un matériau soumis à un faisceau d’ions.

Matériau amorphe

Solide ne présentant aucune structure atomique ordonnée à moyenne et longue distance, les atomes y sont aléatoirement distribués comme dans un liquide.

RBS (Rutherford Backscattering Spectroscopy)

Technique d’analyse par faisceau d’ions basée sur la rétrodiffusion Rutherford. Elle permet de déterminer la structure et la composition de matériaux, de mesurer et contrôler l’épaisseur et la composition de matériaux multicouches. En mode canalisation (channeling RBS ou C-RBS), lorsque le faisceau incident est aligné avec l'axe majeur de symétrie d’une structure...