Conclusions et perspectives
Composants de puissance en SiC - Applications

4.1 Composants et applications

L'évolution des conditions d'utilisation des convertisseurs de puissance (densité de puissance de plus en plus élevées et ambiances de fonctionnement de plus en plus sévères) a favorisé le développement de composants semi-conducteurs à large bande interdite en général, et la filière SiC en particulier. Le fonctionnement possible de ces composants à haute température permet d'augmenter la densité de puissance tout en réduisant l'effort de refroidissement nécessaire, impliquant un gain considérable en termes de masse et de coût. Afin de définitivement profiter de toutes les potentialités des composants de puissance en SiC, il est nécessaire de développer des boîtiers spécifiques, la logique de commande de composants ainsi que des composants passifs tels que les capacités et inductances. Les propriétés physiques du SiC comparées à celles du silicium laissent présager un impact significatif des composants de puissance sur les prochaines générations de véhicules électriques. Les gains attendus au niveau système concernent la réduction de taille, de masse, du prix global ainsi qu'une simplification des systèmes de refroidissement. L'électronique haute température devrait permettre le remplacement des systèmes de contrôle hydrauliques et de disposer de sources de conversion d'énergie distribuées dans les systèmes devant fonctionner dans des environnements sévères tels que ceux de l'aéronautique, du spatial... mais aussi pour des systèmes de génération future (par exemple, systèmes éoliens...) et les réseaux de distribution .

4.2 Applications et économie : bilan et perspectives

L'activité internationale liée au carbure de silicium est en plein essor. Après une phase de développement durant les années 1990-2000, une filière SiC est en train d'émerger sur différents continents. Cela est illustré par l'activité de nombreux acteurs tels CREE Research aux États-Unis, Infineon STMicroelectronic et Norstel en Europe, Criepi et Toyota au Japon. Infinéon a été la première compagnie à produire des composants de puissance en SiC en lançant une gamme de diodes Schottky en février...