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ALD assistée par plasma (PEALD)Article de référence | Réf : RE262 v1
Auteur(s) : David MUÑOZ-ROJAS
Date de publication : 10 nov. 2016
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L’approche spatiale a prouvé être très polyvalente du point de vue technique puisque de nombreux réacteurs ont été répertoriés à ce jour. S. Nonobe et al. a proposé un réacteur spatial horizontal en quartz (voir figure 1 dans ) pour la croissance de films d’HfO2 sur substrats de silicium de surface 10 mm × 10 mm . HfCI4 (évaporé à 433 K) et O2 sont introduits dans des côtés opposés de la zone de réaction en utilisant un flux de N2 gazeux purifié. Un rideau de N2 gazeux épuré est utilisé pour empêcher les précurseurs de se mélanger. Enfin, le substrat est amené à osciller entre les différentes zones par un système commandé par ordinateur. Malgré la distribution spatiale des précurseurs, ceux-ci sont fournis de manière temporelle, puisque des injections sont délivrées au substrat une fois qu’il est en place.
La technique de SALD a également été nommée ALD en continu car dans la plupart des réacteurs SALD, les précurseurs sont continuellement injectés dans le réacteur. Tel est le cas du réacteur R2R conçu par Lotus Applied Technology . Dans ce cas, un substrat en bande est déplacé entre les zones de réacteur contenant les différents précurseurs, qui sont séparés par une zone de purge (Figures 1 et 3 dans ...
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(1) - SUNTOLA (T.S.), ANTSON (J.) - Method for producing compound thin films. - 4, 058, 430 (1977).
(2) - SUNTOLA (T.S.), PAKKALA (A.J.), LINDFORS (S.G.) - Apparatus for performing growth of compound thin films. - 4, 389, 973 (1983).
(3) - NONOBE (S.), TAKAHASHI (N.), NAKAMURA (T.) - Solid State Sci. - 6, 1217-1219 (2004).
(4) - LEVY (D.H.) - * - PROCESS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION. US 7, 413, 982 B2 (2008).
(5) - DICKEY (E.), BARROW (W.A.) - J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film. - 30, 021502 (2012).
(6) - MAYDANNIK (P.S.), KÄÄRIÄINEN (T.O.), CAMERON (D.C.) - Chem. Eng. J. - 171, 345-349 (2011).
...
Laboratoires de Recherche
TNO – Innovation for life
Delft TU – Université technologique de Delft
Astral – Lappeenranta University of Technology – Finlande
UCAM – University of Cambridge – UK.
LMGP – Laboratoire des matériaux et du génie physique – Grenoble
http://www.lmgp.grenoble-inp.fr
Searl – Hangyang University – Corée du Sud.
https://gogohanguk.com/fr/universities/seoul/hanyang-visiting-program/
Jeju National University – Corée du Sud
NCHU – National Chung Hsing University – Taïwan
ConstructeursLotus AT – Lotus Applied Technology
Solaytec
Levitech
Beneq
Applied Materials
http://www.appliedmaterials.com
Jusung Engineering
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