Garder les précurseurs séparés : Les bâtis de SALD
Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)

L’approche spatiale a prouvé être très polyvalente du point de vue technique puisque de nombreux réacteurs ont été répertoriés à ce jour. S. Nonobe et al. a proposé un réacteur spatial horizontal en quartz (voir figure 1 dans ) pour la croissance de films d’HfO₂ sur substrats de silicium de surface 10 mm × 10 mm . HfCI₄ (évaporé à 433 K) et O₂ sont introduits dans des côtés opposés de la zone de réaction en utilisant un flux de N₂ gazeux purifié. Un rideau de N₂ gazeux épuré est utilisé pour empêcher les précurseurs de se mélanger. Enfin, le substrat est amené à osciller entre les différentes zones par un système commandé par ordinateur. Malgré la distribution spatiale des précurseurs, ceux-ci sont fournis de manière temporelle, puisque des injections sont délivrées au substrat une fois qu’il est en place.

La technique de SALD a également été nommée ALD en continu car dans la plupart des réacteurs SALD, les précurseurs sont continuellement injectés dans le réacteur. Tel est le cas du réacteur R2R conçu par Lotus Applied Technology . Dans ce cas, un substrat en bande est déplacé entre les zones de réacteur contenant les différents précurseurs, qui sont séparés par une zone de purge (Figures 1 et 3 dans ...